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华体会官网hth:杭州中欣晶圆获得改进抛光硅片化学氧化膜厚及Haze均一性的单片清洗工艺专利
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时间 : 2025-07-13 00:12:28 浏览量 : 81 次

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  金融界2024年10月31日音讯,国家知识产权局信息数据显现,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司获得一项名为“改进抛光硅片化学氧化膜厚及Haze均一性的单片清洗工艺”的专利,授权公告号 CN 115424919 B,请求日期为2022年9月。

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